Основные параметры транзистора КТ817 включают максимально допустимый коллекторный ток (IC), максимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (VCE), коэффициент усиления тока (hFE) и мощность, потребляемую транзистором. Также важно учитывать температурный диапазон работы, внутреннее сопротивление и скорость переключения.
Транзистор КТ817 имеет три вывода: эмиттер (E), база (B) и коллектор (C). Кроме того, он имеет корпус TO-92, который позволяет легко монтировать и подключать этот транзистор в различных электронных цепях.
Важно помнить, что перед использованием транзистора КТ817 необходимо внимательно изучить его документацию, чтобы правильно подобрать рабочие параметры и обеспечить надежную работу в вашей схеме.
Зная характеристики и параметры транзистора КТ817, вы сможете эффективно использовать его в своих электронных проектах и достичь требуемых результатов. Окончательный выбор этого транзистора зависит от конкретных потребностей вашей схемы и требований к производительности.
Полное описание КТ817 транзистора на русском языке
Характеристики транзистора КТ817:
- Тип: P-N-P
- Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (VCEO): 30 В
- Максимальный ток коллектора (IC): 500 мА
- Максимальная мощность коллектора (PC): 625 мВт
- Коэффициент усиления по току (hFE): 100-630
- Максимальная рабочая частота (fT): 150 МГц
- Максимальная температура перехода (Tj): 150 °C
- Корпус: TO-92
Транзистор КТ817 обладает тройным присоединением, включающим коллектор, базу и эмиттер. Он обеспечивает положительное усиление, то есть, уровень сигнала на выходе усиливается по сравнению с уровнем на входе. Это делает его незаменимым компонентом в различных электронных устройствах, включая радио, телевизоры, аудиоусилители и другие.
Для правильной работы транзистора КТ817 важно учитывать его характеристики и параметры. Например, максимальное напряжение коллектор-эмиттер не должно превышать 30 В. Также необходимо соблюдать максимальные значения тока коллектора и мощности коллектора, чтобы избежать перегрузки и повреждения транзистора.
Знание характеристик транзистора КТ817 позволяет инженерам и электронщикам использовать его с максимальной эффективностью. Этот транзистор широко применяется в различных проектах и схемах, обеспечивая стабильность и надежность работы.
Характеристики КТ817 транзистора
- Тип транзистора: NPN
- Максимальное рабочее напряжение коллектор-эмиттер: 45 В
- Максимальный коллекторный ток: 3 А
- Мощность потери в виде тепла: 20 Вт
- Температурный диапазон: от -55°C до +150°C
- Усиление тока транзистора (hFE): от 40 до 250
КТ817 обладает низкими значениями сопротивления переходов и высокой стабильностью работы в широком диапазоне рабочих температур. Это позволяет эффективно использовать его в различных схемах усиления и коммутации.
Благодаря своим характеристикам, КТ817 транзистор является хорошим выбором для применения в устройствах, где требуется стабильное усиление сигнала или коммутация больших токов.
Параметры КТ817 транзистора на русском языке
Тип: КТ817
Производитель: Н/Д
Категория: NPN-транзисторы
Корпус: TO-92
Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (Vceo): 45 В
Максимальный коллекторный ток (Ic): 0,5 А
Максимальная мощность (Pd): 625 мВт
Коэффициент усиления тока (hFE): 40-300 (при Ic = 100 мА, Vce = 1 В)
Частота переключения (fT): 120 МГц (мин.)
Максимальная рабочая температура (Tj): +150°C
Варианты упаковки: Катушка, лента
Примечание: Данные параметры указаны в документации производителя и могут быть изменены без предварительного уведомления. Для более точной информации обратитесь к даташиту.