Характеристики транзистора КТ817: даташит и особенности


КТ817 — это один из наиболее распространенных и широко используемых биполярных npn транзисторов. Он имеет много применений в электронике благодаря своим высоким характеристикам и низкой стоимости. Рассмотрим подробнее его основные технические характеристики.

КТ817 обладает максимальным напряжением коллектор-эмиттер Uкэ = 45 В, непрерывным коллекторным током Iк = 0.8 А и максимальной мощностью рассеяния Pс = 0.625 Вт. Он обеспечивает высокое усиление тока β = 100-300, что делает его идеальным для использования в усилительных схемах.

Этот транзистор имеет кремниевую структуру, а его структура биполярного перехода позволяет обеспечить надежное и стабильное функционирование при различных рабочих условиях. Он также обладает малыми размерами и прост в установке, что делает его удобным для монтажа на печатные платы.

Применение КТ817 связано с его возможностью использования в различных схемах. Он может быть использован в усилительных схемах, стабилизаторах и инверторах. Благодаря своей надежности и широкому диапазону температурных условий, он также может быть применен в промышленных и автомобильных электронных устройствах.

В целом, КТ817 — это надежный и универсальный транзистор, который может быть использован во многих электронных устройствах. Изучение его даташита и основных характеристик помогает понять его применение и выбрать наиболее подходящие схемы для различных задач.

Основные характеристики КТ817 транзистора

Одной из ключевых характеристик КТ817 является максимальный ток коллектора (IC), который составляет 1 А. Это позволяет использовать транзистор для управления нагрузкой сравнительно большого тока.

Также важной характеристикой является максимальное напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), которое составляет 45 В. Это позволяет использовать КТ817 в схемах сравнительно большого напряжения.

Другой важной характеристикой является коэффициент усиления по току (hFE). Для КТ817 он составляет от 100 до 630. Это означает, что при подаче малого тока на базу, можно получить значительно больший ток на коллекторе.

КТ817 также обладает низким напряжением насыщения коллектор-эмиттер (VCE(sat)). Оно составляет всего 0.3 В при токе коллектора 0.05 А. Это позволяет использовать транзистор в схемах с низкими напряжениями.

Это лишь некоторые из основных характеристик, которые делают транзистор КТ817 полезным в различных схемах и приложениях. Знание этих характеристик поможет правильно выбрать и использовать КТ817 в электронных устройствах.

Схема КТ817 транзистора

Схема подключения КТ817 транзистора может быть представлена в следующем виде:

  • Эмиттер (E) транзистора КТ817 соединяется с общим проводником (ноль) или с возможным нижним питанием.
  • База (B) транзистора КТ817 подключается к управляющему сигналу (например, через резистор).
  • Коллектор (C) транзистора КТ817 подключается к нагрузке или другому устройству.

Более подробная схема подключения КТ817 транзистора может выглядеть следующим образом:

  • Входной сигнал подается через базу (B) транзистора с помощью управляющего элемента (например, резистора) для установления нужной силы сигнала.
  • Эмиттер (E) транзистора соединяется с нулевым проводником или землей.
  • Коллектор (C) транзистора соединяется с нагрузкой или другим устройством, которому требуется усиление сигнала.
  • Также, в схеме КТ817 транзистора могут присутствовать дополнительные элементы, такие как конденсаторы, резисторы и диоды для обеспечения стабильной работы и защиты транзистора.

Общая схема подключения транзистора КТ817 может варьироваться в зависимости от конкретного применения и требований к усилению сигналов.

Важно отметить, что перед подключением транзистора КТ817, необходимо ознакомиться с его даташитом и проверить соответствие схемы подключения его характеристикам и максимальным значениям токов и напряжений.

Применение КТ817 транзистора

  • Использование в усилительных схемах: КТ817 имеет высокий коэффициент усиления и способен оперировать на высоких частотах, что делает его идеальным для использования в усилительных схемах.
  • Использование в коммутационных схемах: КТ817 имеет высокую коммутационную способность и низкую насыщенную напряжение, поэтому он широко применяется в коммутационных схемах.
  • Использование в стабилизаторах напряжения: КТ817 может использоваться в схемах стабилизации напряжения, где он способен сохранять стабильное выходное напряжение при изменении входного напряжения.
  • Использование в источниках питания: КТ817 может использоваться в источниках питания для управления тока и напряжения.

Такое разнообразное применение КТ817 делает его очень полезным компонентом в электронике. Благодаря своим выдающимся характеристикам, он может использоваться во многих различных схемах для обеспечения нужной функциональности и производительности.

Основные характеристики КТ817 транзистора

КТ817 представляет собой кремниевый NPN транзистор применяемый для усилительных и коммутационных цепей в различных электронных устройствах. Он обладает следующими основными характеристиками:

1. Максимальная рабочая температура: КТ817 может работать в широком диапазоне температур от -55°C до +150°C, что обеспечивает стабильную и надежную работу в различных условиях.

2. Максимальное напряжение коллектора и эмиттера (VCEO): Эта характеристика определяет максимальное напряжение, которое может быть применено между коллектором и эмиттером транзистора без нарушения его работоспособности. Для КТ817 максимальное напряжение составляет 60 В.

3. Максимальный коллекторный ток (IC): КТ817 способен выдерживать максимальный коллекторный ток до 1 А, что позволяет использовать его в различных усилительных и коммутационных схемах.

4. Коэффициент усиления (hfe): Коэффициент усиления тока транзистора определяет его усиливающие свойства. У КТ817 типичное значение коэффициента усиления составляет от 40 до 320, что позволяет эффективно усиливать сигналы в различных электронных устройствах.

5. Скорость переключения: КТ817 обладает высокой скоростью переключения, что позволяет использовать его в быстродействующих электронных схемах.

КТ817 является надежным и универсальным транзистором, широко применяемым в различных электронных устройствах, таких как усилители, источники питания, коммутационные схемы и др.

Описание основных характеристик КТ817 транзистора

Транзистор КТ817 представляет собой биполярный высокочастотный компонент, который широко используется в различных схемах усиления сигналов. Он имеет малый размер и низкое энергопотребление, что делает его удобным в использовании во многих электронных устройствах.

Основными характеристиками транзистора КТ817 являются:

ХарактеристикаЗначение
Тип корпусаTO-92
Максимальный ток коллектора (Ic)0.5 А
Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (Vce)45 В
Максимальная мощность потери (Pc)0.625 Вт
Коэффициент усиления по току коллектора (hfe)100-630
Частота перехода (ft)100 МГц
Сопротивление коллектор-эмиттер в открытом состоянии (Rce)10 Ом

Транзистор КТ817 обладает высокой надежностью и долгим сроком службы, что делает его популярным среди производителей электронных устройств. Он может быть использован в различных схемах усиления, переключения и стабилизации сигналов.

Схема КТ817 транзистора

Входной сигнал подается на базу, а выходной сигнал получается на коллекторе. Эмиттер выполняет функцию обратной связи и обеспечивает устойчивую работу транзистора.

Схема КТ817 транзистора имеет следующие основные характеристики:

  • Напряжение коллектора: до 40 В
  • Ток коллектора: до 500 мА
  • Мощность коллектора: 400 мВт
  • Напряжение база-эмиттер: 6 В
  • Ток базы: до 200 мА
  • Тепловое сопротивление: 200 K/W

Схема КТ817 транзистора может использоваться в различных электронных устройствах, таких как усилители звука, источники питания, радиоприемники и другие.

Описание схемы транзистора КТ817

  • Тип корпуса: TO-92
  • Максимальное постоянное токоотведение коллектора: 2 А
  • Максимальное обратное напряжение коллектор-база: 30 В
  • Максимальное обратное напряжение эмиттер-база: 5 В
  • Коэффициент усиления по току (бета): 30-300
  • Максимальная рабочая частота: 100 МГц

Схема транзистора КТ817 представлена трёхэлементной схемой, состоящей из базы (B), коллектора (C) и эмиттера (E). При подаче тока на базу, транзистор позволяет усилить ток, протекающий через коллектор.

Наиболее распространенными применениями транзистора КТ817 являются:

  1. Усилительные схемы: КТ817 может использоваться в различных усилительных схемах, например, в усилителях звукового сигнала.
  2. Переключательные схемы: Транзистор КТ817 применяется для управления высокими нагрузками, такими как реле и лампы.
  3. Импульсные источники питания: Транзистор КТ817 может быть использован в импульсных источниках питания для управления цепями высокого тока.

Транзистор КТ817 является надежным и универсальным устройством, широко применяемым в электронных схемах.

Применение КТ817 транзистора

Транзистор КТ817 широко применяется в различных электронных устройствах благодаря своим характеристикам и надежности. В основном, он используется в схемах усилителей мощности, электронных ключей и переключателей.

Благодаря своей низкой мощности и высокой частоте переключения, КТ817 может использоваться в схемах усилителей мощности малых размеров. Это делает его идеальным выбором для мобильных устройств и портативной аппаратуры.

Транзистор КТ817 также широко используется в схемах электронных ключей и переключателей, где требуется быстрое и точное переключение цепи. Благодаря своим высоким рабочим параметрам, он может эффективно контролировать токи и напряжение в схеме.

КТ817 обеспечивает надежную и стабильную работу в различных приложениях, таких как драйверы светодиодов, импульсные источники питания, аудиосхемы, управление электромоторами и другие электронные устройства.

В целом, транзистор КТ817 является универсальным и надежным элементом электроники, который находит широкое применение в различных схемах и устройствах.

Добавить комментарий

Вам также может понравиться