Входные характеристики транзистора ГТ308А: особенности и параметры

Технические характеристики транзистора ГТ308А включают в себя параметры, такие как напряжение сток-исток (Uceo), ток коллектора (Ic), ток базы (Ib), мощность потерь на переходе (Pс) и другие. Эти параметры определяют его электрофизические свойства и его способность работать в определенных условиях.

Для подключения транзистора ГТ308А в схему применяются различные конфигурации, включая общий эмиттер, общий база и общий коллектор. Конкретная схема подключения зависит от требуемых характеристик и функций устройства, в котором он будет использоваться.

Важно отметить, что правильное подключение транзистора ГТ308А позволяет эффективно использовать его возможности и обеспечить надежную работу устройства или системы, в которой он применяется.

Входные характеристики транзистора ГТ308А

ГТ308А обладает следующими входными характеристиками:

Транзистор ГТ308А можно подключить в различные схемы, такие как:

1. Однокаскадный усилитель с общим эмиттером.

2. Усилитель с общим коллектором (эмиттер следует заземлить).

3. Усилитель с общей базой.

Выбор схемы подключения зависит от требуемого типа усиления и влияния нагрузки на входные характеристики транзистора.

Технические характеристики транзистора ГТ308А

Основные параметры транзистора ГТ308А:

• Максимальное значение коллекторного тока (I_кмакс): не более 40 мА.
• Максимальное значение напряжения коллектор-эмиттер (U_кэмакс): не более 20 В.
• Максимальное значение напряжения эмиттер-коллектор (U_экмакс): не более 6 В.
• Коэффициент усиления тока (β): 40 — 200 при I_к = 2 мА и U_кэ = 10 В.
• Максимальная мощность, рассеиваемая транзистором (P_кмакс): не более 200 мВт.

Схемы подключения транзистора ГТ308А:

Транзистор ГТ308А может быть подключен в трех конфигурациях: база-эмиттер (Б-Э), база-коллектор (Б-К) и эмиттер-коллектор (Э-К).

В схеме Б-Э транзистор ГТ308А является усилителем по току и может использоваться в таких устройствах, как усилители сигнала малой мощности, источники тока и преобразователи уровня сигнала.

В схеме Б-К транзистор ГТ308А также является усилителем по току, но обладает высокой входной импедансом. Используется в усилителях сигнала большой мощности и в цепях с постоянным током.

В схеме Э-К транзистор ГТ308А является ключом и может использоваться для управления высокочастотными устройствами, включая радиостанции, источники питания и схемы управления.

Параметры транзистора ГТ308А

Он имеет следующие основные параметры:

• Тип транзистора: n-p-n
• Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (U_кэ): 32 В
• Максимальное напряжение коллектор-база (U_кб): 32 В
• Максимальное напряжение эмиттер-база (U_эб): 6 В
• Максимальный коллекторный ток (I_км): 0,15 А
• Максимальный базовый ток (I_бм): 0,015 А
• Максимальная мощность диссипации (P_д): 0,3 Вт
• Коэффициент усиления тока по току коллектора (h_21e): не менее 50
• Коэффициент усиления тока по току базы (h_21a): не менее 30

Транзистор ГТ308А широко применяется в электронных схемах как усилитель, ключ или переключатель в низкочастотных и среднечастотных устройствах.

Схемы подключения транзистора ГТ308А

Транзистор ГТ308А представляет собой полевой транзистор с управлением полем. Он имеет три вывода: эмиттер (Е), коллектор (К) и базу (Б).

Существует несколько основных схем подключения транзистора ГТ308А:

1. Схема с общим эмиттером (CE)

2. Схема с общим коллектором (CC)

3. Схема с общим базом (CB)

Наиболее распространенная схема подключения транзистора ГТ308А — схема с общим эмиттером (CE). В этой схеме, сигнал подается на базу, а нагрузка подключается между коллектором и источником питания.