itciskra.ru
Принцип работы транзистора с общим эмиттером основан на управлении током коллектора с помощью тока базы. Когда ток базы изменяется, это приводит к изменению тока коллектора. Таким образом, CE транзистор можно использовать для усиления сигнала или как ключевой элемент в логических схемах.
Основной особенностью CE транзистора является его входная характеристика. Она показывает, как изменяется ток базы транзистора в зависимости от напряжения на его эмиттере при постоянном напряжении коллектора. В общем случае, входная характеристика имеет вид кривой, выражающей нелинейную зависимость тока базы от напряжения на эмиттере.
Одной из важных особенностей входной характеристики транзистора с общим эмиттером является наличие показателя усиления тока, называемого коэффициентом передачи тока (β). Он определяет, во сколько раз ток коллектора больше тока базы. Коэффициент передачи тока может изменяться в зависимости от рабочих условий транзистора.
Входные характеристики транзистора с общим эмиттером
Одной из основных входных характеристик транзистора с общим эмиттером является входной ток базы (IB). Входной ток базы является током, который подается на базу транзистора для управления его работы. Входная характеристика IB-VBE показывает зависимость входного тока базы от напряжения на базе-эмиттере (VBE). Обычно эта характеристика является нелинейной, и она может быть измерена при постоянной напряженности коллектора (VCE).
Другой важной характеристикой транзистора с общим эмиттером является входное сопротивление (Rin). Входное сопротивление определяет, насколько хорошо транзистор преобразует входной ток базы в изменение напряжения между базой и эмиттером. Чем выше входное сопротивление, тем лучше транзистор выполняет свою функцию усиления сигнала.
Кроме того, транзистор с общим эмиттером имеет еще ряд входных характеристик, таких как входная емкость (Cin) и входное напряжение (Vin). Входная емкость определяет, как изменение входного напряжения влияет на входной ток базы, а входное напряжение определяет минимальное напряжение, необходимое для работы транзистора в режиме насыщения.
Входные характеристики транзистора с общим эмиттером являются важным инструментом для анализа и проектирования транзисторных схем и должны быть учтены при работе с этим типом транзистора. Понимание этих характеристик позволяет оптимизировать работу транзистора и использовать его в наиболее эффективном режиме.
Принцип работы
Ключевым моментом работы транзистора с общим эмиттером является изменение тока коллектора (Iс) при изменении тока базы (Iб). Когда ток базы достаточно мал, транзистор находится в режиме отсечки, и ток коллектора почти равен нулю. Однако, при увеличении тока базы, начинается насыщение транзистора и ток коллектора становится значительным.
Таким образом, транзистор с общим эмиттером может служить усилителем, который может усилить слабый сигнал на входе и выдать значительный сигнал на выходе. Он также может работать в режиме ключа, переключаясь между состояниями отсечки и насыщения.
Общий эмиттер обладает некоторыми особенностями по сравнению с другими конфигурациями транзисторов. Он имеет высокое коэффициент усиления тока, но в то же время низкое входное сопротивление. Это делает его идеальным для усиления слабых сигналов с низким входным сигналом.