Условное графическое изображение полевого транзистора с изолированным затвором

В условном графическом изображении MOSFET можно выделить несколько основных элементов: исток, сток, затвор и подложка. Исток и сток представляют собой области полупроводника, в которых накапливается или вытекает ток, соответственно. Затвор — это элемент, который управляет током, протекающим через MOSFET. Подложка, или исток обратного тока, связана с подключением диода защиты MOSFET.

Исток и сток MOSFET имеют зону обеднения, в которой отсутствуют свободные электроны или дырки для проводимости тока. Затвор влияет на эту зону обеднения, управляя количеством электронов или дырок и, следовательно, током, котрый может протекать через MOSFET.

Как можно видеть на условном графическом изображении MOSFET, затвор представляет собой конденсатор, разделенный от затвора прозрачным разрывом. Это узкий канал, связывающий исток и сток. Затвор управляет током, проходящим через этот канал, изменяя его ширины и, следовательно, сопротивление. В особенности, когда на затвор приложено положительное напряжение, канал сужается и уменьшается ток, а при отрицательном напряжении — канал расширяется и увеличивается ток.

Структура полевого транзистора

Структура полевого транзистора с изолированным затвором представляет собой тонкую слоистую пластину из полупроводника, в котором сформированы следующие слои (снизу вверх):

— Подложка – это основа, на которой строится структура транзистора. Она выполняет роль заземленного электрода и обычно состоит из кремния или германия.

— Изоляционный слой (оксидный слой) создается на поверхности подложки. Он служит для снижения тока утечки между затвором и подложкой.

— Затворный электрод представляет собой проводящую пластину, которая находится над изоляционным слоем и служит для управления током в канале. Он обычно изготавливается из поликристаллического кремния.

— Канал представляет собой область полупроводника между истоком и стоком, где происходит управляемое затвором формирование проводящего канала.

— Исток и сток – выводы транзистора, между которыми происходит токовая связь, и которые имеют разное электрическое потенциал.

Таким образом, структура полевого транзистора с изолированным затвором обладает определенными свойствами, которые позволяют использовать его для эффективного усиления электрических сигналов.

Изолированный затвор

В изолированном затворе используется плавкое стекло или оксид кремния, которые обеспечивают высокий уровень изоляции между затвором и остальными элементами транзистора. Затворные электроды могут быть выполнены из металла или полупроводниковых материалов. Они располагаются на изоляционном слое, который предотвращает утечку тока между затвором и другими электродами.

Изолированный затвор в полевом транзисторе обладает несколькими преимуществами. Он позволяет более точно контролировать ток истока, что ведет к более стабильной работе транзистора. Кроме того, изоляция затвора увеличивает сопротивление утечки тока, что повышает энергетическую эффективность и надежность работы транзистора.

Условное графическое изображение

Структура полевого транзистора с изолированным затвором может быть представлена графически с помощью условного изображения. Такое изображение позволяет визуально представить основные элементы и связи между ними.

В таблице ниже представлена условная графическая схема полевого транзистора с изолированным затвором:

В графической схеме полевого транзистора с изолированным затвором, положительная пластина обозначается плюсом (+), отрицательная пластина — минусом (-), анод — буквой A, катод — буквой K, затвор — буквой G.

Такое условное графическое изображение упрощает восприятие структуры транзистора и обозначения его элементов, что облегчает рассмотрение и анализ его электрических свойств.