Транзистор с8050: параметры и цоколевка


Транзистор С8050 является одним из наиболее популярных и широко используемых транзисторов в мире электроники. Он относится к классу биполярных NPN транзисторов и применяется во многих электронных устройствах благодаря своим высоким характеристикам и надежности.

Основными параметрами транзистора С8050 являются максимальные допустимые значения тока и напряжения, а также коэффициент усиления тока. Максимальный допустимый ток коллектора составляет 1.5 А, а максимальное допустимое напряжение коллектор-эмиттер — 25 В. Коэффициент усиления тока (β) для данного транзистора может колебаться в диапазоне от 160 до 400, что позволяет использовать его в широком спектре приложений.

Цоколевка транзистора С8050 включает три вывода: коллектор (C), базу (B) и эмиттер (E). Коллектор является основным выводом транзистора и служит для подключения нагрузки. База представляет собой управляющий вывод, через который подается управляющее напряжение. Эмиттер обеспечивает обратное питание и служит для отвода генерируемого тока транзистора.

Транзистор С8050 отличается своими низкими габаритными размерами, что позволяет его применять в компактных электронных устройствах. Благодаря большому коэффициенту усиления тока и высокой надежности, он может использоваться в усилительных цепях, коммутационных схемах и других электронных устройствах.

Транзистор С8050 является одним из ключевых компонентов в электронике и широко применяется в различных областях, включая телекоммуникационные системы, автомобильную промышленность и бытовую электронику. Он обладает множеством преимуществ, таких как низкое энергопотребление, высокая стабильность работы и широкий диапазон рабочих температур. Все это делает транзистор С8050 незаменимым компонентом для опытных и начинающих электронщиков.

Транзистор С8050: параметры, цоколевка, особенности

Основные параметры транзистора С8050:

  • Тип: PNP
  • Максимальное напряжение коллектор-эмиттер: 25 В
  • Максимальный ток коллектора: 0.5 А
  • Максимальная мощность: 625 мВт
  • Максимальная рабочая температура: 150 °C

Цоколевка транзистора С8050 имеет три вывода: база (B), эмиттер (E) и коллектор (C). Правильное подключение выводов очень важно для правильной работы транзистора.

Особенности транзистора С8050:

  • Низкое напряжение насыщения предельно увеличивает его эффективность;
  • Отличная линейность свойств обеспечивает стабильность сигнала;
  • Простая цоколевка и компактный размер позволяют использовать в маломощных устройствах.

Транзистор С8050 нашел широкое применение в усилителях мощности, источниках тока, преобразователях и многих других электронных схемах. Зная его параметры и правильное подключение, вы сможете использовать его в своих проектах электроники.

Описание и назначение транзистора С8050

Основные особенности транзистора С8050 заключаются в его низком шуме, малом статическом токе утечки и хорошей стабильности работы. Также он обладает высоким коэффициентом усиления и низким сопротивлением перехода база-эмиттер.

Цоколевка транзистора С8050 включает три вывода: эмиттер (Е), коллектор (С) и базу (В). Для подключения транзистора к цепям используются различные схемы, в том числе эмиттерный повторитель, коллекторный повторитель и схемы с общим эмиттером.

Транзистор С8050 может быть использован в различных устройствах, таких как источники питания, радиопередатчики, усилители низкой мощности, схемы временной задержки и т.д. Также он часто применяется в автомобильной и промышленной электронике.

ПараметрЗначение
ТипPNP
Максимальный ток коллектора (Ic)700 мА
Напряжение коллектора-эмиттер (Vce)45 В
Мощность коллектора (Pc)625 мВт
Коэффициент усиления по току (hfe)с 120 до 800
Максимальная рабочая частота (fT)150 МГц

Основные параметры транзистора С8050

Основные параметры транзистора С8050 представлены в таблице:

ПараметрЗначение
Тип транзистораnpn
Максимальное коллекторное напряжение (VCEO)25 В
Максимальный коллекторный ток (IC)0,5 А
Максимальная мощность потери (PD)0,5 Вт
Коэффициент усиления по току (hFE)от 120 до 400
Максимальная рабочая частота (fT)150 МГц

Транзистор С8050 обладает небольшими габаритными размерами, что делает его компактным и удобным в использовании. На ножках транзистора имеются обозначения: эмиттера (E), базы (B) и коллектора (C), которые указывают на правильную цоколевку устройства.

Цоколевка транзистора С8050

Цоколевка транзистора С8050 соответствует стандартной нумерации выводов управляющих и выходных элементов в корпусе TO-92. У данного транзистора три вывода: эмиттер (E), база (B) и коллектор (C).

Выводы расположены на одной стороне корпуса в таком порядке: эмиттер – база – коллектор. Таким образом, выводы можно пронумеровать следующим образом:

E – 1

B – 2

C – 3

Правильное подключение транзистора к схеме позволяет обеспечить его стабильную работу и предотвратить ошибки, связанные с перепутанными выводами.

Особенности использования транзистора С8050

Один из основных параметров транзистора С8050 – его максимальная коллектор-эмиттерная напряжение, которая составляет 25 В. Это означает, что транзистор может выдерживать напряжение не более 25 В на границе между коллектором и эмиттером.

Также, стоит обратить внимание на следующие особенности транзистора С8050:

  1. Высокая электропроводность. Благодаря своей конструкции и материалам, транзистор С8050 обладает высокой электропроводностью, что позволяет использовать его во многих схемах.
  2. Низкое время переключения. Транзистор С8050 обладает быстрым временем переключения, что делает его подходящим для использования в высокочастотных устройствах, таких как радиопередатчики и приемники.
  3. Низкое значение базового тока. Для работы транзистора С8050 требуется небольшой базовый ток, что позволяет снизить энергопотребление устройства и продлить срок его службы.

Таким образом, транзистор С8050 является надежным и функциональным компонентом, который можно успешно применять в различных электронных устройствах. Его особенности, такие как высокая электропроводность, низкое время переключения и низкое значение базового тока, делают его привлекательным выбором для работы на высоких частотах и в условиях ограниченного энергопотребления.

Добавить комментарий

Вам также может понравиться