Транзистор КТ840А: технические характеристики

КТ840А имеет следующие основные технические характеристики:

Тип транзистора: полевой p-n-p;

Максимальное биполярное напряжение коллектор-эмиттер (VCEO): 30 В;

Максимальное биполярное напряжение база-эмиттер (VCBO): 30 В;

Максимальный режим работы (IC/IB): 0,2 А/5 мА;

Максимальная мощность: 300 мВт;

Максимальная рабочая температура: +150 °C;

Транзистор КТ840А обладает низким уровнем шума и низким сопротивлением, что позволяет использовать его в различных усилительных и коммутационных схемах. Он может быть использован в различных областях, включая телевизоры, радиопередатчики, радиоприемники, робототехнику и другие.

Благодаря своим высоким техническим характеристикам, транзистор КТ840А является надежным и эффективным элементом электронных схем, который обеспечивает стабильное и качественное усиление и коммутацию сигнала. В дополнение к этому, он прост в использовании и доступен на рынке по умеренной цене, что делает его привлекательным выбором для широкого круга специалистов в области электроники.

КТ840А: представление и область применения

КТ840А характеризуется высоким коэффициентом усиления тока и большим значением коэффициента передачи в режиме активного насыщания. Благодаря этим свойствам, транзистор КТ840А широко применяется в многих электронных устройствах, включая радиоприемники, телевизоры, усилители звука.

Одной из важных областей применения КТ840А являются схемы усиления звука. Его высокий коэффициент усиления тока позволяет использовать этот транзистор для усиления слабых аудиосигналов. Благодаря своим высоким характеристикам и стабильной работе в режиме насыщения, КТ840А также широко используется для усиления сигналов низкой и средней частоты.

Транзистор КТ840А привлекателен своей надежностью и стабильностью работы. Он обладает хорошим быстродействием и способен работать в широком диапазоне температур. Это делает его идеальным выбором для различных электронных систем, где требуется высококачественное усиление сигналов и стабильная работа.

Итак, транзистор КТ840А является универсальным устройством, которое можно применять в различных устройствах, где требуется надежное и стабильное усиление сигналов низкой и средней частоты. Благодаря своим высоким рабочим характеристикам, этот транзистор широко используется в электронике и считается одним из основных компонентов при разработке усилителей и других электронных устройств.

Описание КТ840А

Основные технические характеристики КТ840А:

• Максимальная обратная рабочая напряжение коллектор-эмиттер: 700 В
• Максимальный коллекторный ток: 7 А
• Максимальная мощность потерь: 80 Вт
• Частота переключения: 20 МГц
• Коэффициент усиления по току: не менее 30

КТ840А обладает низким сопротивлением переходов и хорошими высокочастотными характеристиками, что делает его идеальным для использования в радиочастотных усилителях и коммутационных схемах при работе с высокими напряжениями.

Транзистор можно монтировать на печатную плату с помощью поверхностного монтажа (SMD) или используя контактные выводы. Для эффективного охлаждения рекомендуется использовать радиатор.

КТ840А является надежным полупроводниковым прибором, прекрасно подходящим для широкого спектра электронных устройств, включая радиостанции, телевизоры, источники питания и другие приборы.

Технические характеристики КТ840А

Основные технические характеристики КТ840А:

• Тип: N-канальный
• Максимальное смещение напряжения на затворе: ±30 В
• Максимальный прямой ток стока: 30 А
• Максимальная мощность рассеяния: 150 Вт
• Максимальная температура окружающей среды: +150°C
• Температурный коэффициент смещения напряжения на затворе: -0.045% /°C
• Время нарастания смещения напряжения на затворе: 40 нс
• Напряжение пробоя между затвором и истоком: ±40 В

Транзистор КТ840А обладает низким сопротивлением канала и высокой эффективностью переключения, что делает его идеальным компонентом для использования в импульсных схемах и источниках питания.

Электрические параметры КТ840А

Транзистор КТ840А представляет собой мощный биполярный эпитаксиальный структурированный транзистор, который обладает следующими электрическими параметрами:

• Максимальное коллекторное напряжение (U_{к max}): 400 В
• Максимальная коллекторная токовая плотность (J_{c max}): 5 А/см²
• Максимальная токовая плотность эмиттера (J_{e max}): 1 А/см²
• Максимальная мощность коллектор-эмиттер (P_{c max}): 50 Вт
• Максимальная рабочая частота переключения (f_{T max}): 3 МГц
• Базовый ток (I_b): 50 мА
• Коллекторный ток (I_c): 2 А
• Коэффициент усиления тока (h_fe): 30-150
• Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (U_{CE sat}): 0,4 В
• Напряжение насыщения база-эмиттер (U_{BE sat}): 1,2 В
• Максимальная рабочая температура (T_max): 150 °С

Такие электрические параметры делают транзистор КТ840А применимым во многих сферах, включая область силовых устройств и устройств звукового усиления.

Тепловые параметры КТ840А

Основным тепловым параметром является тепловое сопротивление перехода от монтажной площадки (корпуса) до радиатора (R_th(j-c)). Значение этого параметра показывает, насколько эффективно тепло отводится от транзистора к радиатору и зависит от конструкции транзистора и радиатора.

• Тепловое сопротивление перехода от монтажной площадки до радиатора R_th(j-c) составляет около 1 К/Вт. Это означает, что для каждого потребляемого транзистором ватта, температура перехода от монтажной площадки к радиатору повышается на 1 градус Цельсия.
• Рекомендуемое значение температуры радиатора при работе с КТ840А составляет 100 градусов Цельсия. При этой температуре транзистор обеспечивает максимальную надежность и стабильность работы.

Важным моментом при работе с КТ840А является охлаждение транзистора. Для обеспечения оптимальных тепловых условий необходимо выбрать радиатор с достаточной площадью поверхности для эффективного отвода тепла. Также, необходимо обеспечить надежное крепление транзистора к радиатору с помощью теплопроводящей смазки.

Применение КТ840А в условиях высоких температур требует обязательного использования радиатора, который обеспечит отвод тепла и предотвратит перегрев. Также, рекомендуется правильно распределить радиаторы и соответствующие вентиляторы по всей конструкции, чтобы обеспечить равномерное охлаждение всех транзисторов.