Одной из главных характеристик транзистора B772 является его максимальный коэффициент усиления, который составляет до 400. Такой высокий коэффициент усиления позволяет использовать данный транзистор в усилительных схемах с минимальными потерями. Кроме того, транзистор обладает низкой паразитной емкостью и способен работать с частотами до нескольких мегагерц.
Важной особенностью транзистора B772 является его цоколевка. Данный транзистор имеет типовую цоколевку TO-92, которая представляет собой маленький пластиковый корпус с трехконтактным разъемом. Это позволяет легко установить транзистор на печатную плату или подключить его к другим электрическим компонентам. Благодаря своей цоколевке, транзистор B772 обладает высокой надежностью и долговечностью, что делает его идеальным выбором для широкого спектра электронных приложений.
В заключение, транзистор B772 — это мощный PNP транзистор с высоким коэффициентом усиления и низким уровнем шума. С его помощью можно создавать высококачественные усилители звука, стабилизаторы напряжения и другие электронные устройства. Благодаря своей цоколевке TO-92, транзистор B772 обладает высокой надежностью и простотой установки. Если вам нужен надежный и универсальный компонент для вашей электронной схемы, то транзистор B772 — отличный выбор.
Характеристики транзистора B772
Транзистор B772 представляет собой структуру типа NPN в корпусе TO-126. Он имеет следующие характеристики:
Характеристика | Значение |
---|---|
Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (Vceo) | 40 В |
Максимальный ток коллектора (Ic) | 3 А |
Максимальная мощность потери (Pd) | 1.5 Вт |
Коэффициент усиления по току коллектора (hfe) | 40-250 |
Максимальная частота переключения (ft) | 150 МГц |
Максимальное напряжение база-эмиттер (Vbeo) | 5 В |
Максимальный ток базы (Ib) | 0.8 А |
Тип корпуса | TO-126 |
Транзистор B772 широко применяется в различных электронных схемах как ключевой элемент для управления током и напряжением. Он обладает высоким коэффициентом усиления, надежностью и хорошими рабочими параметрами, что делает его популярным выбором для разработчиков.
Общая информация о транзисторе B772
Транзистор B772 имеет следующие характеристики:
- Максимальное коллекторное напряжение (Vce): 40 В;
- Максимальный коллекторный ток (Ic): 3 А;
- Максимальная мощность потери (Pc): 2 Вт;
- Максимальная температура переделки (Tj): 150 °C;
- Ток базы (Ib): 2 А;
- Коэффициент усиления по току (hfe): 40-400;
- Коэффициент передачи тока конденсатора (Cob): 25 пФ.
Транзистор B772 имеет следующую цоколевку:
- Эмиттер (E) — 1;
- База (B) — 2;
- Коллектор (C) — 3.
Транзистор B772 широко применяется в электронике, в том числе в схемах усилителей, импульсных источников питания, и других устройствах, где важна высокая мощность и надежность работы. Он предлагает отличную комбинацию характеристик, делая его популярным компонентом среди разработчиков и электронных инженеров.
Устройство и принцип работы
Эмиттер служит источником носителей заряда (электронов), база контролирует поток носителей заряда, а коллектор собирает эти носители заряда. Когда приложено напряжение базы-эмиттер, ток начинает протекать через базу и эмиттер.
Основным принципом работы транзистора является управление потоком тока в коллекторе путем регулирования тока базы. Когда малый ток базы протекает через транзистор, его усиливается и формируется большой ток коллектора. Таким образом, транзистор B772 может использоваться для усиления сигналов и управления большими токами.
Транзистор B772 имеет определенные электрические характеристики, такие как максимальное напряжение коллектор-эмиттер, максимальный ток коллектора и коэффициент усиления. Эти характеристики могут варьироваться в зависимости от спецификаций производителя.
Характеристика | Значение |
---|---|
Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (Vceo) | 40 В |
Максимальный ток коллектора (Ic) | 3 А |
Коэффициент усиления (hfe) | 40-250 |
Транзистор B772 широко используется во множестве электронных устройств, таких как источники питания, аудиоусилители, ключевые устройства и многое другое. Его высокая коммутационная способность и надежность делают его популярным элементом в электронике.