Этот транзистор обеспечивает стабильную работу и эффективное усиление сигналов в различных схемах. Он имеет максимальный ток коллектора 15А и мощность 100Вт, что позволяет использовать его в схемах с высокими нагрузками. КТ819 также отличается высокой надежностью и долгим сроком службы.
Примечательно, что транзистор КТ819 имеет маленький размер и может легко устанавливаться на печатные платы или в специальные гнезда. Его цоколевка соответствует стандарту TO-220, что предоставляет возможность удобного монтажа и замены в случае необходимости.
Благодаря его высоким техническим характеристикам, легкости монтажа и удобству использования, транзистор КТ819 является незаменимым элементом в различных электронных устройствах, включая усилители, блоки питания и преобразователи сигналов.
Транзистор КТ819: основные параметры
Основные параметры транзистора КТ819:
- Ток коллектора (IC) — максимальное значение тока коллектора, который может протекать через транзистор.
- Ток эмиттера (IE) — максимальное значение тока эмиттера, которое может поступать в транзистор.
- Ток базы (IB) — ток базы, который необходим для открытия транзистора и управления им.
- Мощность коллектора (PC) — максимальная мощность, которую транзистор может отдавать на нагрузку.
- Напряжение коллектора-эмиттера (UCE) — максимальное значение напряжения, которое может выдерживать транзистор при включенном состоянии.
- Коэффициент усиления тока (hFE) — отношение изменения тока коллектора к изменению тока базы.
Транзистор КТ819 обладает низкими паразитными емкостями и индуктивностями, что позволяет использовать его в усилительных цепях низкой частоты. Благодаря небольшим габаритам и низкой стоимости, транзистор КТ819 широко применяется в различных радиоэлектронных устройствах.
Внутренние характеристики транзистора КТ819
Транзистор КТ819 представляет собой биполярный NPN-транзистор, который широко используется в электронике для усиления и коммутации сигналов. Он обладает следующими внутренними характеристиками:
• Ток коллектора (Ic) — максимальный допустимый ток, который может протекать через коллектор транзистора. Для КТ819 этот параметр составляет 0,5 А.
• Ток эмиттера (Ie) — максимальный допустимый ток, который может протекать через эмиттер транзистора. Для КТ819 этот параметр составляет 0,1 А.
• Коэффициент усиления тока (β) — отношение изменения тока коллектора к изменению тока базы. В случае транзистора КТ819, этот параметр может составлять от 40 до 200.
• Напряжение коллектор-эмиттер (Vce) — максимальное допустимое напряжение между коллектором и эмиттером транзистора. Для КТ819 это значение составляет 40 В.
• Внутреннее сопротивление транзистора (Rc) — сопротивление между коллектором и эмиттером транзистора при нулевом базовом токе. Для КТ819 это значение составляет 0,8 Ом.
Внимание к внутренним характеристикам транзистора КТ819 позволяет эффективно использовать его в различных электронных схемах, обеспечивая надежное и стабильное функционирование.
Внешние параметры и цоколевка транзистора КТ819
Цоколевка транзистора КТ819 представлена трёхконтактным корпусом типа TO-92. Первый контакт (база) обозначается латинской буквой B, второй контакт (эмиттер) — буквой E, третий контакт (коллектор) — буквой C. Это помогает оператору правильно подключить каждый контакт транзистора к соответствующему элементу электрической схемы.
Внешние параметры транзистора КТ819 включают:
- Максимальное напряжение на коллекторе (Vceo): это максимальное напряжение, которое может быть наложено на коллектор транзистора при открытом эмиттере.
- Максимальный ток коллектора (Ic): это максимальный постоянный ток, который может протекать через коллектор транзистора.
- Максимальная мощность транзистора (Pc): это максимальная мощность, которую транзистор может рассеивать без перегрева.
- Граничные параметры hfe (коэффициент усиления тока): это параметры, которые характеризуют усиление тока транзистора при работе в определённых условиях.
Зная внешние параметры и цоколевку транзистора КТ819, можно правильно подключить его в соответствии с электрической схемой и обеспечить его надлежащую работу.